Технология материалов и изделий электронной техники
Часть 2. Пучковые и плазменные процессы в технологии электроники

Лектор: проф. Карманенко Сергей Федорович

1.	Корпускулярные и фотонные потоки. Основные характеристики энергетических пучков и процессов их взаимодействия с твердым телом.
2.	Классификация процессов, протекающих при взаимодействии ионного пучка с конденсированной средой
3.	Потенциал взаимодействия. Определения и формы потенциала взаимодействия. Основные положения теории Линхарда-Шарфа-Шиотта
4.	Определение тормозной способности и удельных энергетических потерь. Приведенные тормозные способности
5.	Электронное торможение. Расчет удельных энергетических потерь.
6.	Физические основы процесса ионного внедрения. Определение пробегов ионов в аморфных и монокристаллических мишенях.
7.	Определение профиля распределения примеси при ионном легировании
8.	Влияние сопутствующих физических эффектов на процесс ионного внедрения примеси в твердое тело
9.	Дефектообразование в процессе ионного внедрения примеси
10.	Каналирование ионов. Определение критического угла каналирования
11.	Блок схема и основные конструктивные узлы установки ионного легирования 
12.	Коэффициент ионного распыления. Модель Зигмунда. Расчет коэффициентов распыления
13.	Основные зависимости и аппроксимации коэффициента распыления.
14.	Плазма тлеющего разряда. Параметры квазинейтральности
15.	Уравнение баланса мощности тлеющего разряда и параметры состояния плазмы
16.	Физическая модель осаждения пленок в процессе ионно-плазменного распыления Спектральные характеристики потоков бомбардирующих и распыленных методе ИПР.
17.	Процессы рассеяния и термализации распыленных атомов при осаждении пленок в процессе ИПР.
18.	Конденсация распыленного потока на подложке и скорость осаждения пленок в процессе ИПР.
19.	Магнетронное распыление. Физические основы и модификации метода магнетронного распыления, применяемого в тонкопленочной технологии.
20.	Основы метода ВЧ ионно-плазменного распыления.
21.	Возможности применения ВЧ индукционных полей в пленочной технологии.
22.	Процессы взаимодействие электронного пучка с твердотельной мишенью
23.	Глубина проникновения электронов в твердое тело, энергетические потери и температурные распределения в твердотельной мишени 
24.<зачеркнут>	Испарительные методы тонкопленочной технологии. Молекулярно-пучковая эпитаксия.