ДИСЦИПЛИНА: ТМИЭЭТ-1
КУРС: 4     СЕМЕСТР: 7 осенний

  
     Экзаменационные вопросы по ТМИЭЭТ-1
  ==========================================

Лектор: проф. Лучинин Виктор Викторович

1.1. Понятия миниатюризации и интеграция в технологии изделий электронной техники
1.2. Классификация процессов микротехнологии
1.3. Системная модель технологической сложности компонентов электронной техники
1.4. Классы чистоты материалов и веществ
1.5. Классы чистоты производственных помещений микроэлектронных производств
1.6. Способы очистки поверхности пластин в микроэлектронном производстве
1.7. Способы обеспечения чистоты воздушной среды в помещениях микроэлектронного производства
1.8. Поверхность кристалла. Идеальные и реальные поверхности
1.9. Основные физико-химические процессы при нанесении и удалении вещества. Классификация.
1.10. Физико-химические основы процессов массопереноса
1.11. Физико-химические основы процессов адсорбции и десорбции
1.12. Физико-химические основы процессов кристаллизации из паровой и жидкой фазы
1.13. Классификация моделей зародышеобразования при росте на реальной поверхности
1.14. Теорможинамическая теория зародышеобразования
1.15. Выращивание кристаллов полупроводниковых и диэлектрических материалов. Метод Чохральского.
1.16. Выращивание кристаллов полупроводниковых и диэлектрических материалов. Метод Бриджмена-Стокбаргера.
1.17. Выращивание, очистка и легирование кристаллов полупроводниковых материалов. Метод зонной плавки.
2.1. Математическое описание диффузионных процессов в твердых телах.
2.2. Распределение примеси при диффузии. Стадия загонки (введение примесей)
2.3. Распределение примеси при диффузии. Стадия разгонки (перераспределение примесей)
2.4. Методы осуществления процесса диффузии. Источники и способы введения примесей.
2.5. Математическое описание процесса ионной имплантации
2.6. Основные параметры процесса ионной имплантации
2.7. Распределение примесей при ионной имплантации. Эффекты каналирования
2.8. Ионная имплантация. Процессы дефектообразования. Отжиг дефектов
2.9. Аппаратурная реализация процессов ионной имплантации
2.10. Применение методов ионной имплантации в микротехнологии. Легирование, окисление, нитрирование, протонизация
2.11. Методы термического окисления кремния
2.12. Распределение примесей при термическом окислении
2.13. Газофазное осаждение окислов и нитридов
2.14. Газофазная эпитаксия кремния и соединений AIIIBV
2.15. Жидкофазная эпитаксия соединений AIIIBV
2.16. Молекулярно-лучевая эпитаксия
2.17. Нанесение пленок методом Ленгмюра-Блоджетт
3.1. Классификация литографических методов формирования топологии
3.2. Литографический процесс. Оценка качества и разрешения
3.3. Основные стадии литографического процесса
3.4. Литографический процесс. Нагативный и позитивный резисты
3.5. Фотолитография. Способы экспонирования. Разрешающая способность
3.6. Электронолитография. Экспонирование.  Разрешающая способность
3.7. Рентгенолитография. Шаблоны. Экспонирование
3.8. Жидкостное ориентированно-чувствительное травление. Механизм. Области применения
3.9. Оценка предельного разрешения при локальном травлении